在这两种情况下,均仅使用数平方厘米大小的硅衬底,并使用纯CF4溶液和CF4/O2蚀刻混合物在不同的压力和衬底温度下运行蚀刻试验。图3显示了典型的纯CF4 RIE蚀刻下的低质量数质谱谱图。值得注意的是,尽管使用的是简单的蚀刻化学物和最基本的硅衬底,但采集到的谱图上仍有非常密集的峰分布。图4显示了当等离子体开启和关闭以及CF4等离子体中的O2含量增加时,质谱图中相关物质信号时序变化。...
在相对分子质量150万以上的UHMWPE中,还有相对分子质量200万、300万,甚至高达500万以上的品级。...
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