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室温下在俄歇电子能谱(AES)分析仪超高真空室中,通入适量O2,促使基底U表面氧化,生成UO2,然后利用Ar+枪溅射铝箔,使铝沉积在UO2表面形成Al薄膜。沉积过程中实时采集UO2表面的AES谱和低能电子损失谱(EELS),原位分析铝薄膜在UO2表面的生长过程和膜间界面反应。...
目前,在斯普林菲尔德、戈尔和霍普港工厂均使用这种方法。 干法 第三种方法为使原料的粒度和密度均匀一致,铀浓缩物应重新磨碎、制粒和分级。这样可以得到适合于流化床设备的细粒。此外,经过这样的处理,还可以除去原料中的钠。细粒UO3用氢还原成UO2,再氢氟化为UF4。在上述过程中同时进行铀的纯化,除去了大部分杂质。...
2) 室温下,在UO2表面溅射沉积制备铝薄膜过程中,铝与UO2之间相互作用,电子从铝原子向UO2中的铀离子转移:UO2/Al之间的扩散行为较U/Al界面扩散行为明显,铝扩散到UO2和基体铀的界面处,形成了氧化态铀、金属铀和铝三者共存区;室温下,UO2表面的铝薄膜是以岛状方式生长的,生长过程中由于扩散行为的影响,导致确定薄膜生长方式的强度变化曲线发生了畸变。...
如沉淀呈黄色,用硝酸(1+1)将滤纸上的沉淀溶解于原烧杯中,再如上用Na2CO3中和,沉淀一次,过滤,以热水洗3~4次。...
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