研究表明,在 Si 单晶中分别引入张应变和压应变,可分别使其电子迁移率和空穴迁移率有显著的提升因而,从 Si CMOS IC 的 90nm 工艺开始,在 Si 器件沟道以及晶圆材料中引入应变,提高了器件沟道迁移率或材料载流子迁移率,从而提升器件和电流的高速性能。...
2022年,经过与半导体行业客户的长期探讨,基于卓立汉光成熟的RTS系列拉曼光谱测量系统与相关算法, 旨在打造一台能够满足半导体行业用户对于多晶硅晶化率、应力测试、载流子迁移率测试需要的第三代半导体相关参数测试仪。...
HTGB(高温栅偏试验)验证了栅极连接半导体器件的电负荷、热负荷随时间的综合效应,评估了栅极介电性的完整性、半导体/介电边界层的状态和可移动离子对半导体的污染。其模拟了加速条件下的模块工作状态,用于器件鉴定和可靠性监测。测试标准介绍车规级功率模块测试标准最常见的测试标准是由 ECPE 欧洲电力电子研究中心发布的AQG324,其中有对静态HTXB测试进行详细的规范。...
然而,在实际器件测试中,得到的用来提取迁移率的电流-电压关系并非标准线性曲线,该现象称为OFET的非理想行为。若将肖克利公式直接套用于非理想型器件迁移率提取时,可能会导致迁移率被错误估算。近年来,OFET中的非理想行为引起了研究人员的广泛关注,因此,构建具有理想工作特性的OFET对正确评价有机半导体性能,以及促进其实际应用具有重要意义。...
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