本标准规定了半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(CDDR3 SDRAMD功能验证和电参数测试的方法。 本标准适用于半导体集成电路领域中第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAMD)功能验证和电参数测试。
GB/T 36474-2018由国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 发布于 2018-06-07,并于 2019-01-01 00:00:00.0 实施。
GB/T 36474-2018 在中国标准分类中归属于: L56 半导体集成电路,在国际标准分类中归属于: 31.200 集成电路、微电子学。
-2018信息技术 文档拍摄仪通用规范2019/1/1374GB/T 36474-2018半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法2019/1/1375GB/T 36475-2018软件产品分类2019/1/1376GB/T 36476-2018印制电路用金属基覆铜箔层压板通用规范2019/1/1377GB/T 36477-2018半导体集成电路 快闪存储器测试方法...
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表2:DDR存储器的发展历程资料来源:互联网公开资料,华金证券研究所DDR RAM是SDRAM的升级版本,从SDRAM的一个上升时钟脉冲传输一次数据改为一个时钟脉冲的上升沿和下降沿各传输一次数据,使得带宽翻倍,并且运用了更先进的同步电路,使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行,又保持与CPU完全同步;DDR使用了DLL技术,当数据有效时,存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据,每16...
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