作者设计了朝向蓝宝石A轴（C/A）的错切取向，其中A轴垂直于标准基板。尽管错切取向的变化不会影响外延关系，但是由此产生的阶梯边缘打破了反平行MoS2畴的成核能简并性，并导致超过99%的单向排列，从而解决了市场上C面蓝宝石基底外延生长TMDCs单晶存在的问题。通过显微镜、光谱和电学测量均表明，所制备的MoS2单晶具有极佳的晶圆级均匀性。...
它没有合适的单晶衬底材料, 位错密度大,无法实现P型掺杂等问题，遭到了冷落。直到20世纪90年代后,由于缓冲层技术的采用和P型掺杂技术的突破，才让它成为研究的主流。那么这次获得国家技术发明奖一等奖的GaN基蓝光LED与获得诺奖的蓝光LED有什么不同呢？...
统计储存位错 (SSD) 同样会在多晶形变中产生，但是单晶的形变中几乎没有几何需要位错 (GND) 。在过去几十年的研究中，人们已经可以通过电子背散射所测量的晶格曲率量化几何需要位错 (GND) 的密度，但是几何需要为错 (GND) 的演化规律还有和统计储存位错 (SSD) 密度的关系在实验角度一直没有很好的理解。...
在随后的LED器件应用中，图案化石墨烯可以促进AlN的选择性成核并增强ELOG过程，制备出低位错密度的单晶AlN薄膜，因而可以制备出高性能的UV-LED。总之，该工作揭示一种在介电基底上可控的生长图案化石墨烯的新思路，将有助于推进石墨烯的应用进程。...
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