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场效应晶体管是依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻(简称场效应),使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。 ...
俄罗斯电子公司总经理伊戈尔·克斯洛夫表示,“半导体领域的新研发最终将确保未来技术装备的作战效果,使其不受所应用领域的限制。这也是未来数字化时代的基础,因此俄罗斯电子公司尽一切努力开发前瞻性研究,并运用其研制具有竞争优势的产品基于氮化镓及其固溶体的异质外延结构是二极管和激光器等光电器件的重要组成部分,在无线电、电子、微波晶体管、信号放大器、开关晶体管、功率转换器等设备的运用日益广泛。...
GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场,是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前,随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破,成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管(MESFET)、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管(MODFET)等新型器件。...
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