BS ISO 5618-2:2024
精细陶瓷(高级陶瓷、先进技术陶瓷)GaN晶体表面缺陷检测方法腐蚀坑密度测定方法

Fine ceramics (advanced ceramics, advanced technical ceramics). Test method for GaN crystal surface defects - Method for determining etch pit density


标准号
BS ISO 5618-2:2024
发布
2024年
发布单位
英国标准学会
当前最新
BS ISO 5618-2:2024
 
 
适用范围
范围 本文件介绍了一种测定蚀刻坑密度的方法,用于检测单晶 GaN 衬底或单晶 GaN 薄膜上出现的位错和加工引入的缺陷。它适用于 ISO 5618-1 规定的以下类型 GaN 衬底或薄膜表面暴露的缺陷:单晶 GaN 衬底;在单晶 GaN 衬底上同质外延生长形成的单晶 GaN 薄膜;或在单晶 Al 2 O 3 、SiC 或 Si 衬底上异质外延生长形成的单晶 GaN 薄膜。它适用于蚀刻坑密度 ≤ 7 × 10 7 cm -2 的缺陷。

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