T/CASAS 005-2022
用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法

Dynamic on-resistance test method for GaN high electron mobility transistor(HEMT) in hard-switching circuits

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试： 免费下载 T/CASAS 005-2022 前三页，或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准，
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购（由第三方提供）。

标准号

T/CASAS 005-2022

发布

2022年

发布单位

中国团体标准

当前最新

T/CASAS 005-2022

 

 

适用范围

本文件规定了用于硬开关切换电路的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）动态导通电阻测试方法。 本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： a)　GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件； b)　GaN集成功率电路； c)　以上的晶圆级及封装级产品。

T/CASAS 005-2022相似标准

推荐