马雷教授研究团队通过对外延石墨烯生长过程的精确调控，成功地在石墨烯中引入了带隙，创造了一种新型稳定的半导体石墨烯。这项前沿科技通过对生长环境的温度、时间及气体流量进行严格控制，确保了碳原子在碳化硅衬底上能形成高度有序的结构。 重点来了，这种半导体石墨烯的电子迁移率远超硅材料，表现出了十倍于硅的性能，并且拥有硅材料所不具备的独特性质。 ...
此外，梯度表面能调控转移方法可作为晶圆级二维材料（石墨烯、氮化硼、二硫化钼等）向工业晶圆转移的通用方法，有望为高性能光电子器件的集成奠定技术基础。 该论文审稿人表示：“研究成果提供了一种用于大规模生长和转移晶圆级石墨烯薄膜，制备了高载流子迁移率石墨烯微纳电子器件的先进技术，对石墨烯以及二维材料的学术界和产业界非常重要和及时，这是将石墨烯从实验室推向工业应用所必需的关键环节。”...
石墨烯与金属电极之间的接触电阻会影响石墨烯射频器件的栅控，从而对器件的频率特性产生不利影响。作为传统薄膜材料研究方法的延伸，目前主要通过TLM方法对石墨烯和金属之间的接触进行表征和测量。四室研究团队通过测定石墨烯接触区和非接触区材料的薄膜电阻，发现两者有很大的差异。...
研究人员首次测定了石墨炔薄膜空穴迁移率,证明了理论计算提出的高迁移率，其迁移率随着石墨炔薄膜厚度的增加逐渐下降，厚度为22纳米的石墨炔薄膜的迁移率可达到100~500 cm2·V-1·S-1。 2014年，研究人员发现，石墨炔薄膜是一类性能优良的锂离子电池负极材料。...
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