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美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN－军级、JANTX－特军级、JANTXV－超特军级、JANS－宇航级、（无）－非军用品。第二部分：用数字表示pn结数目。1－二极管、2＝三极管、3－三个pn结器件、n－n个pn结器件。第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N－该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。...
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。...
一、功率半导体类型及区别功率半导体根据器件集成度不同，功率半导体可以分为功率 IC 和功率分立器件两大类。功率分立器件包括二极管、晶体管、晶闸管三大类别，其中晶体管是分立器件中市场份额最大的种类。...
SiC基GaN制造成本较高，但由于散热较好，非常适合制造低能耗、大功率照明器件。Si基GaN是3种材料体系中制造成本最低的，适用于低成本显示。２.电力电子器件 在电力电子领域，宽禁带半导体的应用刚刚起步，市场规模仅为几亿美元。其应用主要集中在军事尖端装备领域，正逐步向民用领域拓展。微波器件方面，GaN高频大功率微波器件已开始用于军用雷达、智能武器和通信系统等方面。...
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