T/CASAS 001-2018
碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范

General Specification for Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试： 免费下载 T/CASAS 001-2018 前三页，或者稍后再访问。

如果您需要购买此标准的全文，请联系： 。

注意： 点击下载后，生成下载文件时间比较长，请耐心等待......

标准号

T/CASAS 001-2018

发布

2018年

发布单位

中国团体标准

当前最新

T/CASAS 001-2018

 

 

适用范围

碳化硅（SiC）是目前发展最成熟的宽禁带半导体之一，具有比硅更高的击穿场强、更快的饱和速度和电子漂移速度、更宽的禁带宽度和更高的热导率等特性，可制作性能更加优异的高效、高温、高频、大功率、抗辐射功率器件。不仅能够在直流、交流输电，不间断电源，开关电源，工业控制等传统工业领域广泛应用，而且在太阳能、风能、电动汽车航空航天等领域也具有广阔的应用前景。 随着SiC 肖特基势垒二极管的技术发展、市场逐步开启，Si二极管的标准在某些方面的规定既不能体现SiC二极管优越的特性，也限制了SiC二极管在某些突出特性方面的发展，制定《碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范》，以支撑产品的设计、生产、测量、验收等工作。

T/CASAS 001-2018相似标准