UNE-EN IEC 62435-4:2018
电子元件 电子半导体器件的长期存储 第4部分：存储

Electronic components - Long-term storage of electronic semiconductor devices - Part 4: Storage (Endorsed by Asociación Española de Normalización in September of 2018.)


 

 

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试： 免费下载 UNE-EN IEC 62435-4:2018 前三页，或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准，
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购（由第三方提供）。

 

标准号
UNE-EN IEC 62435-4:2018
发布
2018年
发布单位
ES-UNE
当前最新
UNE-EN IEC 62435-4:2018
 
 

UNE-EN IEC 62435-4:2018相似标准

EN IEC 62435-4:2018 电子元件 电子半导体器件的长期储存 第4部分：储存 NF C96-435-4*NF EN IEC 62435-4:2018 电子元件 电子半导体器件的长期储存 第4部分：储存 GSO IEC 62435-4:2021 电子元件.电子半导体器件的长期储存. 第4部分：储存 NF EN IEC 62435-4:2018 电子元件 半导体电子器件的长期储存 第4部分：储存 BS EN IEC 62435-4:2018 电子元件 电子半导体器件的长期存储 存储

推荐

“纳米画笔”勾勒未来低维半导体器件

图4 “电写入，光读出”的存储原理及效果　　本研究由中国科学院上海技术物理研究所与复旦大学、华东师范大学、南京大学，中国科学院微电子研究所等多个课题组合作完成。...

我国科学家创新研发第三类存储技术--半浮栅结构晶体管

　　复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。4月10日，这一重要研究成果将以长文形式在线发表于《自然—纳米技术》。　　...

中科院金属所研发出新型门可调阻变存储器

此外，研究人员通过制备3×4的阵列结构，展示了该型铁电忆阻器件应用于存储交叉阵列的可行性。研究人员进一步通过在上方MOSFET施加栅极电压，有效调控了二维半导体层MoS2的载流子浓度（或费米能级），从而对下方M-FE-S忆阻器的存储性能进行操控。基于以上结果，研究人员展示了该型器件的门电压可调多阻态的存储特性。　　...

国家863计划新材料技术领域2014年度备选项目征集指南

1.1.2 第三代半导体器件制备及评价技术 　　开展第三代半导体芯片制备、器件封装技术和工艺研究，开发低成本批量生产技术，研究材料和组件失效机理与寿命快速评价方法，满足高效新型大功率电力电子、通信、光电等领域的应用需求。 　　1.2 新型存储材料与器件 　　1.2.1 新型超高密度存储与磁电子材料 　　开展相变存储器和磁随机存储器关键材料与器件研究，发展磁电子材料与器件技术。...


Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证：京ICP证110310号