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FD-SOI工艺可靠性更高 芯原微电子创始人、董事长兼总裁戴伟民也表示，FD-SOI工艺的超低软错误率可减少存储消耗，非常适用于汽车电子领域。芯原SiPaas（芯片设计服务平台）中的汽车电子设计指南结合FD-SOI工艺，推出的汽车仪表盘片上系统方案可帮助设计公司通过车规ISO26262 ASIL资质。 ...
功耗性能比一向是FD-SOI工艺所强调的优势。根据三星提供的数据，相比体硅工艺（28纳米HKMG工艺），28纳米FD-SOI功耗相当于体硅工艺的70%，性能要高出16%。格罗方德将在2017年量产的22FDX（22纳米FD-SOI工艺）支持超低电压运行，只需0.4V电压就能够支持逻辑运算，与28纳米HKMG工艺相比，功耗降低了70%，漏电流只有约1pA/um。...
功耗性能比一向是FD-SOI工艺所强调的优势。根据三星提供的数据，相比体硅工艺（28纳米HKMG工艺），28纳米FD-SOI功耗相当于体硅工艺的70%，性能要高出16%。格罗方德将在2017年量产的22FDX（22纳米FD-SOI工艺）支持超低电压运行，只需0.4V电压就能够支持逻辑运算，与28纳米HKMG工艺相比，功耗降低了70%，漏电流只有约1pA/um。...
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