复杂的集成工艺挑战包括：上、下两层器件之间的隔离，需要很大高宽比的图形化技术；高难度的垂直工艺控制，如源漏和接触孔的形成、不同金属功函数的金属栅分区域形成方法。（2）顺序集成CFET的挑战主要在于两个器件层的键合、对准偏差、上下层栅极互连、热预算控制、两层间距、成本等。...
计算法导致衍射仪法测量衍射角误差产生的物理因素有Kα2重叠线、洛伦兹-偏振因子、入射线的波长色散、入射线（或衍射线）通过滤片（或单色器）后光谱分布的变化，X射线通过试样的折射等，可以通过数学分析计算来进行修正。不过物理因素的影响，除Kα2重叠外，只有在极高精度要求时才需要进行。衍射仪方法中一些几何因素导致的误差（6.2.1节）可以应用式6.4和式6.5计算修正。...
金属半节距是芯片上从一个金属互连的起点到下一个金属互连的起点的一半距离。在直到十年前一直占据主导地位的二维或“平面”晶体管设计中，栅极长度测量的是晶体管源极和漏极之间的空间。器件的栅极叠层位于该空间中，该栅极叠层控制着源极和漏极之间的电子流动。从历史上看，它是决定晶体管性能的最重要尺寸，因为较短的栅极长度表明开关器件的速度更快。...
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