3.1有机场效应晶体管OFETs可以用作价格标签,智能卡和传感器的基本组件,对于制造具有塑料基板的低成本,大面积器件是理想的。OFET器件包含三个不同的部件:薄的半导体层,栅极绝缘体层和三个金属电极。半导体层通常用小分子或聚合物材料制成。对于小分子,通常通过热沉积来制造半导体膜。关于共轭聚合物,通过旋涂或印刷方法形成膜。通过调整制造条件,如何提高半导体膜的质量仍在进行研究。...
与传统的第1代、第2代半导体材料硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,第3代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能,使其在光电器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力,是世界各国半导体研究领域的热点。...
图8揭示出国内外在太赫兹领域论文成果突出的10个科研机构,俄罗斯科学院与中国科学院近几年论文量一直不相上下,在2015年SCI论文量最高的为俄罗斯科学院(88篇),其次为中国科学院(82篇)。中国电子科技大学近几年在该领域呈现出蓬勃的发展趋势,机构论文量排名相继从2013年的第10位增长到2014年第7位,并在2015年跃至第4位。...
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