GB/T 6219-1998
半导体器件 分立器件 第8部分;场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 8: Field-effect transistors. Section One--Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz

GBT6219-1998, GB6219-1998


标准号
GB/T 6219-1998
别名
GBT6219-1998, GB6219-1998
发布
1998年
采用标准
IEC 747-8-1:1987 IDT
发布单位
国家质检总局
当前最新
GB/T 6219-1998
 
 
被代替标准
GB/T 6219-1986
适用范围
本空白详细规范规定了制定1GHz、5W以下的单栅杨效应晶体管详细规范的基本原则,制定该范围内的所有详细规范与本空白详细规范一致。 本空白规范是与GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》DEC 747-10:1984)和GB/T 1260-900《半导体器件 分立器件规范》(IEC 747.11:1985)有关的一系列空白详细规范中的一个。

GB/T 6219-1998相似标准


推荐

化学所在有机场效应晶体管研究方面取得系列进展

研究表明,此方法适用于多种聚合物OFET,具有较好普适性。有关结果发表在Adv. Mater., 2010, 22, 1273-1277上。  顶结构器件是改善器件稳定性途径之一,研究人员开发了新结构器件制备技术,主要包括自支撑(self-supporting)绝缘层制备,以及自支撑绝缘层与半导体层之间自发干法层合(图2)。...

我国科研人员为氧化镓晶体管找到新结构方案

作为新一代功率半导体材料,氧化镓p型掺杂目前尚未解决,氧化镓场效应晶体管面临着增强型模式难以实现和功率品质因数难以提升等问题,因此急需设计新结构氧化镓垂直型晶体管。 研究人员分别采用氧气氛围退火和氮离子注入工艺制备了器件电流阻挡层,并配合槽刻蚀工艺研制出了不需P型掺杂技术氧化镓垂直沟槽场效应晶体管结构。...

毫米波与太赫兹技术

f) 场效应晶体管检波器: CMOS 工艺由于其较低成本和高集成度, 受到国内外研究人员广泛关注. 近些年, 基于CMOS 工艺太赫兹检波技术取得了显著进展. 早期一些研究中已将场效应晶体管应用于太赫兹检波中,而近期一些研究中已逐步发展到检波阵列并且集成在THz CMOS 芯片中。...

全球首个原子层沟道鳍式场效应晶体管问世

除此之外,研究人员还尝试了引入碳纳米管替代传统金属作为栅极材料,结果显示该材料比传统金属具有更好包覆性,可以有效提高器件性能。理论计算表明,研究人员所提出鳍式场效应晶体管能够实现优异抗短沟道效应。  ...





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号