研究表明,此方法适用于多种聚合物OFET,具有较好的普适性。有关结果发表在Adv. Mater., 2010, 22, 1273-1277上。 顶栅结构器件是改善器件稳定性的途径之一,研究人员开发了新的顶栅结构器件制备技术,主要包括自支撑(self-supporting)绝缘层的制备,以及自支撑绝缘层与半导体层之间自发的干法层合(图2)。...
作为新一代功率半导体材料,氧化镓的p型掺杂目前尚未解决,氧化镓场效应晶体管面临着增强型模式难以实现和功率品质因数难以提升等问题,因此急需设计新结构氧化镓垂直型晶体管。 研究人员分别采用氧气氛围退火和氮离子注入工艺制备了器件的电流阻挡层,并配合栅槽刻蚀工艺研制出了不需P型掺杂技术的氧化镓垂直沟槽场效应晶体管结构。...
f) 场效应晶体管检波器: CMOS 工艺由于其较低的成本和高集成度, 受到国内外研究人员的广泛关注. 近些年, 基于CMOS 工艺的太赫兹检波技术取得了显著进展. 早期的一些研究中已将场效应晶体管应用于太赫兹检波中,而近期的一些研究中已逐步发展到检波阵列并且集成在THz CMOS 单芯片中。...
除此之外,研究人员还尝试了引入碳纳米管替代传统金属作为栅极材料,结果显示该材料比传统金属栅具有更好的包覆性,可以有效提高器件性能。理论计算表明,研究人员所提出的鳍式场效应晶体管能够实现优异的抗短沟道效应。 ...
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