T/CEMIA 004-2018
光伏单晶硅生长用石英坩埚

Quartz crucibles for single crystal silicon growth in photovoltaic industry


T/CEMIA 004-2018 中,可能用到以下仪器设备

 

ST400D/G便携式溶解氧测定仪

ST400D/G便携式溶解氧测定仪

奥豪斯仪器(上海)有限公司

 

ST400D/B 便携式溶解氧测定仪

ST400D/B 便携式溶解氧测定仪

奥豪斯仪器(上海)有限公司

 

舜宇恒平DO35手持式溶氧仪

舜宇恒平DO35手持式溶氧仪

上海舜宇恒平科学仪器有限公司

 

舜宇恒平DO6401便携式溶解氧测定仪

舜宇恒平DO6401便携式溶解氧测定仪

上海舜宇恒平科学仪器有限公司

 

舜宇恒平DO6400台式溶解氧测定仪

舜宇恒平DO6400台式溶解氧测定仪

上海舜宇恒平科学仪器有限公司

 

奥林巴斯超声刀SonoSurg-G2

奥林巴斯超声刀SonoSurg-G2

奥林巴斯(中国)有限公司

 

奥林巴斯超声高频电刀ESG-400/USG-400

奥林巴斯超声高频电刀ESG-400/USG-400

奥林巴斯(中国)有限公司

 

欧陆科仪ET1302压载水荧光计

欧陆科仪ET1302压载水荧光计

上海欧陆科仪有限公司

 

标准号
T/CEMIA 004-2018
发布
2018年
发布单位
中国团体标准
当前最新
T/CEMIA 004-2018
 
 
本标准规定了光伏单晶硅生长用石英坩埚的产品术语和定义、规格尺寸、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存等。 本标准适用于以高纯石英砂(二氧化硅)为原料,采用电弧工艺生产的用于直拉光伏单晶硅生长用石英坩埚。

T/CEMIA 004-2018相似标准


推荐

生产多晶硅片级产业链的工艺流程 看产污环节

为避免硅料与坩埚接触污染硅锭。  装料时按照坩埚底大块硅料、上面细硅料的原则,硅料缝隙间细小硅料填充。  坩埚喷涂烧结设备、工模具、材料:坩埚喷涂站、坩埚烧结炉、恒温箱、红外测温枪、防护服、电动吸等;石英坩埚、氮化硅粉、纯水、压缩空气  装料设备、工模具、材料:硅锭运转车、石墨护板、防护服、电子秤、工业吸尘器;石英坩埚、硅料、硼母合金。  ...

晶圆制备高端局 控温很重要

单晶硅制备-精准控温制备单晶硅的方法有直拉法( CZ 法)、区熔法( FZ 法)等,高纯度、性能优良的单晶硅棒的制备,需要准确控制工艺温度参数,从而准确掌握晶体生长过程中的加热情况。实际应用中,针对单晶生长炉,需要通过小尺寸的窗口对其真空腔室内部的加热器和坩埚进行精准测温。...

连续提拉法(CCZ Process)的发展和数值仿真技术

连续提拉法晶体生长是一项复杂而具有市场潜力的技术,传统的提拉法晶体生长,由于坩埚溶液液面下降,导致坩埚内壁裸露,由于坩埚内壁的温度很高,因而对晶体、熔体中的温度场影响很大;而连续提拉法晶体生长能够很好的解决这一问题。同时,相比于传统的提拉法,CCZ的连续加料技术将有效的降低生产单晶硅晶圆的成本。...

半导体行业都有哪些设备

二、 单晶硅生长直拉法制造晶圆的流程图)晶圆企业常用的是直拉法,如上图所示,高纯度的多晶硅放在石英坩埚中,并用外面围绕着的石墨加热器不断加热,温度维持在大约一千多摄氏度,炉中的空气通常是惰性气体,使多晶硅熔化,同时又不会产生不需要的化学反应。...


T/CEMIA 004-2018 中可能用到的仪器设备





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号