2、 晶体管①双极晶体管②FET(Fidld Effect Transistor:场效应管)Ⅰ、接合型FETⅡ、MOSFET③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)3、 晶闸管①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端双向可控硅②GTO(Gate Turn off Thyristor:栅极光闭晶闸管...
当第一阶段达到满负荷时,旗下功率半导体产能将是2021财年的2.5倍( 200和300毫米晶圆制造能力的总和,相当于200毫米)。 功率器件是管理和降低各种电子设备的功耗以及实现碳中和社会的重要组件。当前汽车电气化和工业设备自动化的需求正在扩大,对低压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅双极晶体管) 等器件的需求非常旺盛。 ...
)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等等。...
小编推荐一款SiC动态参数测试系统EN-1230A,该设备可测试各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的动态参数,如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、...
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