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砷化镓作为单个晶体开始从下往上生长,这个过程被称作外延生长技术,工业界一般使用该技术来制造平的、二维的单晶体半导体薄膜,但布劳恩团队却对这种技术进行了升级改造,用来制造错综复杂的三维结构。 这种自下而上的外延生长技术消除了制造三维光子结构普遍采用的自上而下构造方法可能导致的很多缺陷。另一个好处是,它让制造出层层堆积而成的半导体异质结构变得更方便。...
具体的制备方法有:①从熔体中拉制单晶:用与熔体相同材料的小单晶体作为籽晶,当籽晶与熔体接触并向上提拉时,熔体依靠表面张力也被拉出液面,同时结晶出与籽晶具有相同晶体取向的单晶体。②区域熔炼法制备单晶:用一籽晶与半导体锭条在头部熔接,随着熔区的移动则结晶部分即成单晶。③从溶液中再结晶。④从汽相中生长单晶。前两种方法用来生长体单晶,用提拉法已经能制备直径为200毫米,长度为1~2米的锗、硅单晶体。...
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