JEDEC JESD238A-2023由/ 发布于 2023/1/1,并于 0000-00-00 实施。
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JEDEC JESD238A-2023 高带宽内存 (HBM3) DRAM的最新版本是哪一版?
JEDEC JESD238A-2023已经是当前最新版本。
HBM3 DRAM 通过分布式接口与主机计算芯片紧密耦合。接口分为独立的通道。每个通道彼此完全独立。通道不一定彼此同步。 HBM3 DRAM 采用宽接口架构来实现高速、低功耗运行。每个通道接口维护一个以双倍数据速率 (DDR) 运行的 64 位数据总线。
当地时间3月18日至21日,在美国圣何塞举行的英伟达年度开发者会议“GTC 2024”上,韩国半导体企业全面展示了第五代HBM(高带宽存储器)产品,瞄准人工智能(AI)半导体用内存市场展开激烈竞争。英伟达在“GTC 2024”中推出新一代AI半导体产品“Blackwell”,性能较现有产品大幅提升,使其在AI半导体领域的领导地位得到进一步巩固。...
据介绍,达摩院存算一体芯片内存单元采用异质集成嵌入式DRAM(SeDRAM),拥有超大带宽、超大容量等特点;计算单元方面,达摩院研发设计了流式的定制化加速器架构,对推荐系统进行“端到端”的加速,包括匹配、粗排序、神经网络计算、细排序等任务。 “存算一体是颠覆性的芯片技术,它天然拥有高性能、高带宽和高能效的优势,可以从底层架构上解决后摩尔定律时代的芯片性能和能耗问题。”...
内存墙则是指目前的CPU运算速度比存储器的数据存取速度快得多,存储器成为制约数据处理速度提高的主要瓶颈。现在人们应对这个问题的主要方法是提高内存的处理速度或加大数据传输带宽,但这些都不能从根本上解决问题,开发一种将存储单元与处理单元完全整合的处理器方案,就成为解决这一问题的终极方案。...
每个 TPU 的 8 GiB DRAM 是权重内存(Weight Memory)。这里没有使用 GPU Boost 模式。SECDEC 和非 Boost 模式把 K80 带宽从 240 降至 160。非 Boost 模式和单裸片 vs 双裸片性能把 K80 峰值 TOPS 从 8.7 降至 2.8(*TPU 压模小于等于半个 Haswell 压模大小)。...
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