特别有意义的是,避免了大电流IGBT模块内部大量的电极引出线,提高了可靠性和减小了引线电感,缺点是芯片面积利用率下降。所以这种平板压接结构的高压大电流IGBT模块也可望成为高功率高电压变流器的优选功率器件。...
3、IGBT IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。...
广电计量半导体博士专家团队针对IGBT模块特性开发定制试验方案,满足H3TRB(高温高湿反偏)、HTRB(高温反偏)、PCsec(秒级功率循环)等重点、难点试验要求,成功为芯动半导体自主研发的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块完成可靠性验证。...
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