该专利由中国科学院上海高等研究院申请,并于2019年1月4日获得授权公告。内容说明 本发明涉及一种温度传感器电路,特别是涉及一种低功耗、高线性度的CMOS温度传感器。 发明背景 温度是一个基本的物理现象,它是生产过程中应用最普通、最重要的工艺参数,无论是工农业生产,还是科学研究和国防现代化,都离不开温度测量,因此,在各种传感器中,温度传感器是应用最广泛的一种。...
02二极管状态 轻易读取在功能上,我发现这块表的二极管测试电压功能,对于所有类型的IGBT模块或单个IGBT、MOSFET或其他晶体管和二极管测试来说都是足够的。它能够非常清晰的显示并指示二极管的状态:断路、短路或者正负向偏压。不同的显示值代表不同的含义,显示简单,指令清晰,使用起来相当方便。03快速判断 是否漏电另外,电导功能也是我常用于测试部件泄漏的功能。...
通过实验,研究者选择了ES和AT两种离子弹性体(如下图),将二者粘附在一起,交流阻抗测试,证实了两种弹性体之间形成了离子双电层,异质结的电容为0.7 ± 0.2 μF•cm-2。两个相反离子弹性体,界面处形成离子双电层。图片来源:Science研究者将离子弹性体应用于晶体管,并测量其输出特性曲线,开关态均方根电流之比为~40,与水凝胶晶体管相当。...
传统方法重获新生,并为测量电流提供新标准来源:NIST 新闻美国国家标准与技术研究院 (NIST) 的研究人员已经恢复并改进了一种曾经可靠的技术,用于识别和计算晶体管中的缺陷,晶体管是现代电子设备(如智能手机和计算机)的组成部分。在过去的十年中,高性能计算机芯片中的晶体管组件变得小之又小,以至于常用的方法(称为电荷泵)不再能够准确计算出缺陷。...
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