19972019/7/131GB/T 2423.56-2018环境试验 第2部分:试验方法 试验Fh:宽带随机振动和导则GB/T 2423.56-20062019/7/132GB/T 2423.61-2018环境试验 第2部分:试验方法 试验和导则:大型试件砂尘试验2018/12/2833GB/T 2423.62-2018环境试验 第2部分:试验方法 试验Fx和导则:多输入多输出振动2019/7/134GB...
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随着电压的增大,MOSFET的导通电阻也变大,因而其传导损耗比较大,尤其是在高压应用场合中。相较而言,IGBT的导通电阻较小。IGBT多应用于高压领域,MOSFET主要应用在高频领域。从产品来看,IGBT一般应用在高压产品上,电压范围为600-6500V。MOSFET 的应用电压相对较低,从十几伏到1000V。但是,IGBT的工作频率比MOSFET低许多。...
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