雪崩结半导体电涌保护器的 IEEE 标准测试规范, 您可以免费下载预览页
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1、散弹噪声:由于光电探测器在光辐射作用或热激发下,光电子或载流子随机产生造成的。存在于真空发射管和半导体器件中,属于白噪声。 2、热噪声:暗电流大小与偏压、温度及反向饱和电流密切相关。PN结外加正向偏压,暗电流随外加电压增大成指数急剧增大,远大于光电流,因此加正偏压无意义。PN结外加反向偏压,暗电流随反向偏压增大有所增大,最后等于反向饱和电流,其值远小于光电流。 ...
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