从下图我们也可以看到，GaN on SiC 比 GaN on Si 有热、沟道温度和寿命方面的优势。 从氮化镓材料本身特性来看，氮化镓的器件也有和其他”竞争对手”所不具备的优势，具体如下图所示。 GaN on SiC 的优势也能从下图中一览无遗。其高带宽、高效和高功率特性可以帮助客户做出更小尺寸的器件，进而帮助打造更小、更简单、更轻，且成本更低的系统。...
如下图所示，碳化硅基氮化镓的特性。在 PA 的带宽、效率、功率和热传导性方面都有着不错的表现。“因为过去这些年的应用推广，氮化镓器件的成本也在过去几年里迅速下滑，非常适合商业化”，荀颖说。 如下图所示，Qorvo 的多种碳化硅基氮化镓工艺多个版本拥有不同的性能表现，也可以被覆盖到多个射频领域。在生命周期上，优于砷化镓等其他的工艺。...
随着无线通信的发展，高频电路应用越来越广，今天我们来介绍适合用于射频、微波等高频电路的半导体材料及工艺情况。 砷化镓 GaAs 砷化镓的电子迁移速率比硅高 5.7 倍，非常适合用于高频电路。...
目前，广电计量在光电子检测领域合作客户数十家，涉及型号近百个；在电力电子领域，覆盖了现行所有可靠性测试标准，单在SiC领域合作客户十余家，涉及产品型号超过30个；在微波射频领域，助力完成国内第一个车规标准的微波射频的测试，并向更高频率、更高功率领域布局。如需了解广电计量全部能力，请提交下方表单，我们的技术专员将第一时间为您发送相关介绍。...
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