不使用坩埚,且熔区呈悬浮状态,不与任何物质相接触,而且单晶炉为石英内壁,不会被污染,可反复提纯,能获得高纯度的单晶。受熔区稳定性制约,增大单晶硅直径有困难,也受到加热线圈的限制。四、单晶炉主要厂商国际厂商:德国PVA TePLA AG公司、美国Kayex 公司、日本Ferrotec公司等。...
区熔单晶炉主要包括:双层水冷炉室、长方形钢化玻璃观察窗、上轴(夹多晶棒)、下轴(安放籽晶)、导轨、机械传送装置、基座、高频发生器和高频加热线圈、系统控制柜真空系统及气体供给控制系统等组成。可以看出,制备单晶硅的工艺要求非常苛刻,包括设备、温度控制、转速等各种影响因素。因此在前期必须做好设备设计如单晶炉和温控包括炉内的热场、流场,以及缺陷预测 。...
单晶硅制备-精准控温制备单晶硅的方法有直拉法( CZ 法)、区熔法( FZ 法)等,高纯度、性能优良的单晶硅棒的制备,需要准确控制工艺温度参数,从而准确掌握晶体生长过程中的加热情况。实际应用中,针对单晶生长炉,需要通过小尺寸的窗口对其真空腔室内部的加热器和坩埚进行精准测温。...
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