ASTM F1467-99(2005)
半导体器件和微电路的电离辐射效应试验中X射线测试仪(近似等于10keV辐射量子)的使用标准指南

Standard Guide for Use of an X-Ray Tester ([approximate]10 keV Photons) in Ionizing Radiation Effects Testing of Semiconductor Devices and Microcircuits

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标准号

ASTM F1467-99(2005)

发布

1999年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F1467-99(2005)e1

当前最新

ASTM F1467-18

 

 

适用范围

1.1 本指南涵盖了在测试半导体分立器件和集成电路时使用 X 射线测试仪（即具有平均光子能量[大约]10 keV 和最大能量[大约]50 keV 的光子光谱的源）的推荐程序。电离辐射的影响。
1.2 X射线测试仪可适用于研究晶圆级或脱模微电子器件对电离辐射效应的敏感性。它不适合研究其他辐射引起的效应，例如单粒子效应 (SEE) 或位移损坏造成的效应。
1.3 本指南重点关注金属氧化硅 (MOS) 电路元件中的辐射效应，无论是设计的（如 MOS 晶体管）还是寄生的（如双极晶体管中的寄生 MOS 元件）。
1.4 给出了有关用 X 射线测试仪获得的电离辐射硬度结果与用钴 60 伽玛辐射获得的结果的适当比较的信息。评估了由 X 射线和钴 60 伽玛源的光子能量差异引起的辐射效应的几种差异。提出了对这些影响差异的大小以及在制定测试方案时应考虑的其他因素的定量估计。
1.5 如果使用 10 keV X 射线测试仪进行资格测试或批次验收测试，建议此类测试通过钴 60 伽马射线交叉检查来支持。
1.6 用 X 射线测试仪获得的电离辐射硬度结果与用直线加速器、质子等获得的结果的比较不属于本指南的范围。
1.7 目前对 X 射线和钴 60 伽马辐射所引起的物理效应之间差异的理解用于提供比率的估计（孔数-钴-60/（孔数-X-射线）。定义了几种情况，其中 X 射线和钴 60 伽马射线造成的影响差异预计很小。描述了差异可能高达四倍的其他情况。
1.8 应该认识到 X 射线测试仪和钴 60 伽玛源一般都不能提供对指定系统辐射环境的精确模拟。使用任一测试源都需要外推到指定辐射环境的预期效果。在本指南中，我们讨论 X 射线测试仪和钴 60 伽玛效应之间的差异。此讨论应作为外推到不同辐射环境预期效果的问题的背景有用。然而，外推到预期效果的过程真实环境在其他地方进行处理 (1, 2)。
1.9 X 射线照射和测量的时间尺度可能与预期设备应用中的照射时间有很大不同。给出了与时间相关的影响的信息。
1.10 还讨论了准直 X 射线束可能横向扩散到晶片上所需照射区域之外的情况。
1.11 提供了有关推荐的实验方法、剂量测定和数据解释的信息。
1.12 半导体器件的辐射测试可能会导致受辐射器件的电气参数严重退化，因此应被视为破坏性测试。
1.13 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

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