ASTM F1467-18
使用X射线测试仪的标准指南（

Standard Guide for Use of an X-Ray Tester (≈10 keV Photons) in Ionizing Radiation Effects Testing of Semiconductor Devices and Microcircuits

标准号

ASTM F1467-18

发布

2018年

发布单位

美国材料与试验协会

当前最新

ASTM F1467-18

 

 

引用标准

ASTM E1249 ASTM E170 ASTM E1894 ASTM E666 ASTM E668

适用范围

1.1 本指南涵盖了在测试半导体分立器件和集成电路电离辐射影响时使用 X 射线测试仪（即，光子光谱的平均光子能量约为 10 keV，最大能量约为 50 keV 的源）的推荐程序。
1.2 X射线测试仪可适用于研究晶圆级或脱模微电子器件对电离辐射效应的敏感性。它不适合研究其他辐射引起的效应，例如单粒子效应 (SEE) 或位移损坏造成的效应。
1.3 本指南重点关注金属氧化物半导体 (MOS) 电路元件中的辐射效应，无论是设计的（如 MOS 晶体管）还是寄生的（如双极晶体管中的寄生 MOS 元件）。
1.4 给出了有关用 X 射线测试仪获得的电离辐射硬度结果与用钴 60 伽玛辐射获得的结果的适当比较的信息。评估了由 X 射线和钴 60 伽玛源的光子能量差异引起的辐射效应的几种差异。提出了对这些影响差异的大小以及在制定测试方案时应考虑的其他因素的定量估计。
1.5 如果使用 10 keV X 射线测试仪进行资格测试或批次验收测试，建议此类测试通过钴 60 伽马射线交叉检查来支持。
1.6 用 X 射线测试仪获得的电离辐射硬度结果与用 LINAC、质子等获得的结果的比较不属于本指南的范围。
1.7 目前对 X 射线和钴 60 伽玛辐射引起的物理效应之间差异的理解用于提供 (孔数 - 钴 60)/(孔数 - X 射线) 比率的估计）。定义了几种情况，其中 X 射线和钴 60 伽马射线造成的影响差异预计很小。描述了差异可能高达四倍的其他情况。
1.8 应当认识到，X 射线测试仪和钴 60 伽马源一般都无法提供对特定系统辐射环境的准确模拟。使用任一测试源都需要推断指定辐射环境的预期影响。在本指南中，我们讨论 X 射线测试仪和钴 60 伽玛效应之间的差异。这个讨论应该作为外推不同辐射环境预期影响问题的背景很有用。然而，外推到预期真实环境的过程在其他地方进行了处理 (1, 2)。2 1.9 X 射线照射和测量的时间尺度可能与预期设备应用中的照射时间有很大不同。给出了与时间相关的影响的信息。
1.10 还讨论了准直 X 射线束可能横向扩散到晶片上所需照射区域之外的情况。
1.11 提供了有关推荐的实验方法、剂量测定和数据解释的信息。
1.12 半导体器件的辐射测试可能会导致受辐射器件的电气参数严重退化，因此应被视为破坏性测试。
1.13 以 SI 单位表示的值应被视为标准值。本标准不包含其他计量单位。
1.14 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。 1 本指南由 ASTM 电子委员会 F01 管辖，并由核与空间辐射效应小组委员会 F01.11 直接负责。当前版本于 2018 年 3 月 1 日批准。2018 年 4 月发布。最初于 1993 年批准。上一版本于 2011 年批准为 F1467 11。DOI：10.1520/F1467-18。 2 括号中的黑体数字指的是本指南末尾的参考文献列表。版权所有 © ASTM International，100 Barr Harbor Drive，PO Box C700，West Conshohocken，PA 19428-2959。美国 本国际标准是根据世界贸易组织贸易技术壁垒（TBT）委员会发布的《关于制定国际标准、指南和建议的原则的决定》中确立的国际公认的标准化原则制定的。 1 本标准的使用者有责任建立适当的安全、健康和环境实践，并在使用前确定监管限制的适用性。
1.15 本国际标准是根据世界贸易组织贸易技术壁垒（TBT）委员会发布的《关于制定国际标准、指南和建议的原则的决定》中确立的国际公认的标准化原则制定的。

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