圆柱腔法测量低损耗介质棒复介电常数, 您可以免费下载预览页
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将损耗进一步分解为分量T、S和A值的过程如下:T为一个设计参数,可根据我们已知的基底和膜层材料的折射率,并结合X射线衍射,甚至可选择扫描电子显微镜测量生长层的厚度,将我们的晶体膜精度确定为~1ppm。A可通过光热共路干涉法直接且独立测量。S是剩下的未知数,可以简单地算术提取,或者通过散射法直接测量。 图9:光腔衰荡装置用于精确测量信号的特征指数衰减。...
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