氮化硅是一种理想的辅助材料，具有与铌酸锂类似的折射率，通过合理的设计波导结构使得氮化硅—铌酸锂异质波导中的大部分光场仍然可以限制在铌酸锂层，从而发挥其优异的光学性能实现电光、声光及光学非线性器件。更重要的是，氮化硅是CMOS工艺兼容的材料，成熟的微纳加工工艺可以方便地实现氮化硅层的加工制作，有助于实现铌酸锂集成光电子芯片的大规模集成。...
济南晶正电子科技有限公司采用离子注入及直接键合等技术，从铌酸锂体材料上剥离出厚度仅有数百纳米的单晶薄膜，用其制成器件与传统器件相比在性能、体积、功耗等方面都具有明显优势，在声表面波、电光调制、探测器、集成光学、非线性光学、信息存储等器件中具有重要应用前景。...
项目规划建成5条铌酸锂单晶薄膜材料自动化生产线，达产后实现年产值7.5亿元，年出口创汇9000万美元。该工程于去年10月开工，计划今年4月中旬完成主体验收，进行净化车间装修装饰，预计6月底全部完工，具备投产条件。 据了解，铌酸锂晶体是重要的光电材料，是集成光学、非线性光学、光电子元器件等领域中应用最广泛、最重要的基片材料之一。...
为了解决这些难题，王骋团队将超快电光转换模块与低损耗、多功能信号处理模块同时结合在一块芯片上，组成集成微波光子系统。而能实现卓越效能能的原因是负责集成的薄膜铌酸锂平台。 器件加工后的四英寸薄膜铌酸锂晶圆照片 受访者供图为什么是铌酸锂“铌酸锂又被称为‘光子学之硅’，因为它对光子学的重要性堪比微电子学中的硅。”王骋说。...
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