它是电流注入型半导体PN结光发射器件,具有体积小、重量轻、直接调制、宽带宽,转换效率高、高可靠和易于集成等特点,产品波长覆盖范围从405nm一直到2200nm,功率覆盖范围从5瓦至千瓦级别,广泛应用于高功率固体激光器泵浦源、医疗、照明、国防、材料加工以及科研等市场。 半导体激光器的关键技术: .结构设计优化 半导体激光器的发展与其外延与芯片结构的研究设计紧密相关。...
它是电流注入型半导体PN结光发射器件,具有体积小、重量轻、直接调制、宽带宽,转换效率高、高可靠和易于集成等特点,产品波长覆盖范围从405nm一直到2200nm,功率覆盖范围从5瓦至千瓦级别,广泛应用于高功率固体激光器泵浦源、医疗、照明、国防、材料加工以及科研等市场。 半导体激光器的关键技术: .结构设计优化 半导体激光器的发展与其外延与芯片结构的研究设计紧密相关。结构设计是激光器器件的基础。...
划重点半导体激光器芯片(CWLD):· 输出功率分别为12 W和22 W,对应条宽分别为100 μm和190 μmFAC:· 800 nm~1050 nm波长范围内透过率达99%以上,可定制模块化产品为了解决大功率半导体激光器封装的问题,滨松可为客户提供巴条模块和叠阵模块供选择。...
从20世纪70年代末开始,半导体激光器明显向着两个方向发展,一类是以传递信息为目的的信息型激光器.另一类是以提高光功率为目的的功率型激光器.在泵浦固体激光器等应用的推动下,高功率半导体激光器(连续输出功率在100W 以上,脉冲输出功率在5W以上,均可称之谓高功率半导体激光器)在20世纪90年代取得了突破性进展,其标志是半导体激光器的输出功率显著增加,国外千瓦级的高功率半导体激光器已经商品化,国内样品器件输出已达到...
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