用GaAs作衬底的光电池效率高达29.5%（一般在19.5%左右） ，产品耐高温和辐射，但生产成本高，产量受限，目前主要作空间电源用。以硅片作衬底， MOCVD技术异质外延方法制造GaAs电池是降用低成本很有希望的方法。已研究的砷化镓系列太阳电池有单晶砷化镓，多晶砷化镓，镓铝砷--砷化镓异质结，金属-半导体砷化镓，金属--绝缘体--半导体砷化镓太阳电池等。...
用GaAs作衬底的光电池效率高达29.5%（一般在19.5%左右） ，产品耐高温和辐射，但生产成本高，产量受限，目前主要作空间电源用。以硅片作衬底， MOCVD技术异质外延方法制造GaAs电池是降用低成本很有希望的方法。已研究的砷化镓系列太阳电池有单晶砷化镓，多晶砷化镓，镓铝砷--砷化镓异质结，金属-半导体砷化镓，金属--绝缘体--半导体砷化镓太阳电池等。...
用GaAs作衬底的光电池效率高达29.5%(一般在19.5%左右) ，产品耐高温和辐射，但生产成本高，产量受限，目前主要作空间电源用。以硅片作衬底， MOCVD技术异质外延方法制造GaAs电池是降用低成本很有希望的方法。已研究的砷化镓系列太阳电池有单晶砷化镓，多晶砷化镓，镓铝砷--砷化镓异质结，金属-半导体砷化镓，金属--绝缘体--半导体砷化镓太阳电池等。 ...
此前，神舟系列载人飞船采用了第一代刚性太阳电池阵技术，天舟系列货运飞船采用了第二代半刚性模块化太阳电池阵技术。柔性砷化镓太阳能电池是第三代太阳能电池，在中国空间站天和核心舱太阳能翼上，得到首次应用；在问天实验舱的应用中，实现了新的进步。这表明，在太阳能电池技术领域，航天需求成为促进创新的强劲动力，推动中国太阳电池阵技术实现了新的跃升。...
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