对场效应晶体管来说,应尽可能降低源的串联电阻、接触电阻以及栅金属化电阻,尽量减小栅长(已达到亚微米量级),采用低温致冷技术等。 双极晶型体管和场效应晶体管的噪声来源不尽相同,但它们随频率和工作电流的变化规律是相似的。尽量降低白噪声和采用较小的工作电流,可以得到最佳效果。 硅双极型晶体管最高工作频率只达到8吉赫,而且在这一频率下噪声很大,无实用价值。...
对此,团队在研发过程中实现了三方面技术革新:一是采用高载流子热速度(更小有效质量)的三层硒化铟作沟道,实现了室温弹道率高达83%,为目前场效应晶体管的最高值,远高于硅基晶体管的弹道率(小于60%);二是解决了二维材料表面生长超薄氧化层的难题,制备出2.6纳米超薄双栅氧化铪,将器件跨导提升到6毫西·微米,超过所有二维器件一个数量级;三是开创了掺杂诱导二维相变技术,克服了二维器件领域金半接触的国际难题,...
MOSFET用一个绝缘体(通常是二氧化硅)于栅和体之间。 NOMFET是纳米粒子有机记忆场效应晶体管(Nanoparticle Organic Memory FET)。 OFET是有机场效应晶体管(Organic FET),它在它的沟道中用有机半导体。...
2按照载流子性质不同分类双极型:即电子和空穴同时参与导电,常见的有BJT、GTO;单极型:只有电子或者空穴的一种载流子参与导电,常见的有结型场效应晶体管(JFET)、MOSFET、静电感应晶体管(SIT)等;混合型:常见的有IGBT、电子加强注入型绝缘栅晶体管(IEGT)等。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号