以英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体管CoolGaN为例,其详细结构如图6所示。图6:CoolGaN结构示意图如图6所示,目前业界的氮化镓晶体管产品是平面结构,即源极,门极和漏极在同一平面内,这与与超级结技术(Super Junction)为代表的硅MOSFET的垂直结构不同。门极下面的P-GaN结构形成了前面所述的增强型氮化镓晶体管。...
为了制造具有高迁移率和开关比以及低阈值电压的高性能双极型晶体管,具有相对小的带隙的半导体材料,平滑和无缺陷的界面以及相对小的电荷注入势垒的电极接触都是十分重要的。同步传输两种类型电荷的双极型晶体管使得互补金属氧化物半导体反相器的制造由于它们可控的分离的单极模式而更简单,同时也使得结合晶体管开关特性和发光二极管发光能力的双极型发光晶体管的制备更加高效。...
MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性,在电路中,可以用作放大器、电子开关等用途。2、什么是IGBT?IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。...
随着我们的大部分能量转换为电力,从智能手机、电动汽车到工业机器人等一切设备都需要更高效率、更致密的功率半导体器件如二极管、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、金氧半场效晶体管(MOSFET)和高电子迁移率晶体管(HEMT)等。今天的半导体行业正在基于晶圆发展开发下一代功率器件。宽带隙功率器件使制造更高性能、更可靠的组件成为可能,这些组件可以使功率效率提升并在更高的温度下工作。...
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