四、功率半导体器件分类功率半导体按照不同的分类标准可以进行如下分类:1.按照控制特性分类不控型器件:即正向导通反向阻断,如常见的功率二极管;半控型器件:除了正负极,还有控制极,一旦开通无法通过控制极(栅极)关断,这类主要是指晶闸管(Thyristor)和它的派生器件;全控型器件:可通过栅极控制开关,常见的有双极结型晶体管(BJT)、栅极关断晶闸管(GTO)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET...
3、IGBT IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。...
三极管各个电极的作用及电流分配 晶体管三个电极的电极的作用如下:发射极(E极)用来发射电子;基极(B极)用来控制E极发射电子的数量;集电极(C极)用业收集电子。 晶体管的发射极电流IE与基极电流IB、集电极电流IC之间的关系如下:IE=IB+IC 晶体管的工作条件 晶体管属于电流控制型半导体器件,其放大特性主要是指电流放大能力。...
1、分立器件 (1)双极型晶体(BipolarTransistor),一般简称三极管,bjt (2)场效应晶体管(FieldEffectiveTransistor) (3)晶闸管(Thyristor),也叫可控硅 (4)半导体电阻与——用集成技术制造的电阻和电容,用于集成电路中 2、模拟集成电路器件 模拟集成电路器件是用来处理随时间连续变化的模拟电压或电流信号的集成电路器件...
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