聚焦离子束投影曝光除了前面已经提到的曝光灵敏度极高和没有邻近效应之外还包括焦深大于曝光深度可以控制。离子源发射的离子束具有非常好的平行性,离子束投影透镜的数值孔径只有0.001,其焦深可达100μm,也就是说,硅片表面任何起伏在100μm之内,离子束的分辨力基本不变。而光学曝光的焦深只有1~2μm为。她的主要作用就是在电路上进行修补 ,和生产线制成异常分析或者进行光阻切割。...
除此之外,还使用砷和锑等系数小的杂质,这对于不希望产生杂质再分布的场合是有效的。杂质扩散层的基本特性参数是方块电阻RF和结果Xj。RF可用四探针测量法。Xj可用倾斜研磨 (Angle lapping) 和染色 (staining) 法,(如用HF:H3PO4 = 1:6 使P层黑化),或扩展电阻( spreading resistance) 法来进行评估。...
如液体温度的控制,压力的测量和控制,气泡的消除,光刻胶 被液体浸没产生的污染,光学系统的重新优化。浸没式光刻机将继续朝着更大数值孔径的方向发展。今后各公司将使用各种第二代浸没液体和高折射率底部透镜材料搭建实验平台进行曝光测试,分析曝光缺陷、线宽均匀性、液体的循环以及液体对成像质量的影响,找到最佳的材料,在此基础上设计更高数值孔径的浸没式光刻机,以应对更小光刻线宽的挑战。...
用计算机制图系统将掩模图形转化为数据文件,再通过专用接口电路控制图形发生器中的曝光光源、可变光阑、工作台和镜头,在掩模材料上刻出所需的图形。或用微机通过CAD软件将设计微通道的结构图转化为图像文件后,用高分辨率的打印机将图像打印到透明薄膜上。此透明薄膜可作为光刻用的掩模,基本能满足微流控芯片对掩模的要求。...
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