GB/T 17950-2000
半导体变流器 第6部分:使用熔断器保护半导体变流器防止过电流的应用导则

Semiconductor converter-Part 6:Application guide for the protection of semiconductor converters against overcurrent by fuses

GBT17950-2000, GB17950-2000


标准号
GB/T 17950-2000
别名
GBT17950-2000, GB17950-2000
发布
2000年
采用标准
IEC 146-6:1992 IDT
发布单位
国家质检总局
当前最新
GB/T 17950-2000
 
 
适用范围
本标准作为应用导则,适用于带有熔断器的半导体变流器,熔断器用来保护构成变流器主臂的半导体。本标准限于单拍或双拍联结的电网换相变流器,也适用于满足GB/T 13539.1和GB 13539.4要求的熔断器。适当时,本标准的通用条款也对第2章引用标准 GB/T 3859和IEC 1287-1所包括的变流器给出了指导。 本标准的目的是对特定熔断器和变流器的特性提出建议并作出说明,以保证在变流器中正确选择应用半导体熔断器。同时对用熔断器来保护变流器的安全运行作了特别介绍。 本报告最主要的内容是通过主臂用熔断器保护的三相变流器联结进行说明。而且,这也适用于由GB/T 3859.1和IEC 1287-1所包含的变流器。

GB/T 17950-2000相似标准


推荐

对比6电流测量方法优缺点(二)

通常来说,这种测量方法信号精度大约为10%~20%。从应用对精度要求来看,对于提供保护来说,这个精度范围是可以接受。    图6 ,N沟道增强型MOSFET简化模型  比率式 - 电流检测MOSFET  MOSFET由成千上万个能降低通电阻并联晶体管元胞构成。检流MOSFET使用一少部分并联元胞,连到共栅极和漏极,但源极是分开(图7)。...

从元器件选型到EMC测试要点,教你如何设计保护电路

保护接地就是将受电设备在正常情况下与带电部分绝缘金属外壳部分与接地装置作良好电气连接。2、屏蔽技术电路中电磁屏蔽技术主要是在共同电磁环境中进行生存,通过运用电磁干扰抑制技术防止在实际工作中收到其他因素干扰,导致技术出现应用不合理现象。...

详解:MOS管和IGBT区别

关于寄生二极管作用,有两种解释:MOSFET寄生二极管,作用是防止VDD情况下,烧坏MOS管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。防止MOS管源极和漏极反接时烧坏MOS管,也可以在电路有反向感生电压时,为反向感生电压提供通路,避免反向感生电压击穿MOS管。...

关于批准发布《公共信息图形符号 1部分:通用符号》等583项推荐性国家标准和6项国家标准修改单公告

8部分:标准样品使用 标准样品工作 8部分:标准样品使用 GB/T 15000.8-2003,GB/T 15000.9-2004 2024-01-01 39 GB/T 15166.2...


GB/T 17950-2000 中可能用到的仪器设备


谁引用了GB/T 17950-2000 更多引用





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号