通常来说,这种测量方法的信号精度大约为10%~20%。从应用对精度的要求来看,对于提供过压保护来说,这个精度范围是可以接受的。 图6 ,N沟道增强型MOSFET的简化模型 比率式 - 电流检测MOSFET MOSFET由成千上万个能降低导通电阻的并联的晶体管元胞构成。检流MOSFET使用一少部分并联元胞,连到共栅极和漏极,但源极是分开的(图7)。...
保护接地就是将受电设备在正常情况下与带电部分绝缘的金属外壳部分与接地装置作良好的电气连接。2、屏蔽技术电路中的电磁屏蔽技术主要是在共同的电磁环境中进行生存,通过运用电磁干扰抑制技术防止在实际工作中收到其他因素的干扰,导致技术出现应用不合理现象。...
关于寄生二极管的作用,有两种解释:MOSFET的寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏MOS管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管,也可以在电路有反向感生电压时,为反向感生电压提供通路,避免反向感生电压击穿MOS管。...
第8部分:标准样品的使用 标准样品工作导则 第8部分:标准样品的使用 GB/T 15000.8-2003,GB/T 15000.9-2004 2024-01-01 39 GB/T 15166.2...
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