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晶体闸流管(Thyristor)又称做可控硅整流器,曾被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上第一晶闸管产品,并于1958年使其商业化。晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极;晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。...
因元件开关损耗显著增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用.可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等.可控硅的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通可控硅的特性常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路,等等...
半导体的特点半导体五大特性∶掺杂性,热敏性,光敏性,负电阻率温度特性,整流特性。在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性。在光照和热辐射条件下,其导电性有明显的变化。半导体工作原理本征半导体:不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。...
所以这种平板压接结构的高压大电流IGBT模块也可望成为高功率高电压变流器的优选功率器件。10.电子注入增强栅晶体管IEGT(InjectionEnhancedGateTrangistor)近年来,日本东芝公司开发了IEGT,与IGBT一样,它也分平面栅和沟槽栅两种结构,前者的产品即将问世,后者尚在研制中。...
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