JIS C 7312:1982
有可靠性保证的互补MOs数字半导体集成电路

Reliability assured complementary MOS digital semiconductor integrated circuits (gates)


 

 

非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 JIS C 7312:1982 前三页,或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准,
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购(由第三方提供)。

 

标准号
JIS C 7312:1982
发布单位
日本工业标准调查会
当前最新
JIS C 7312:1982
 
 

JIS C 7312:1982相似标准


推荐

大咖干货 | 集成电路软错误率(SER)发生与评估

关于广电计量半导体服务广电计量在全国设有元器件筛选及失效分析实验室,形成了以博士、专家为首技术团队,构建了元器件国产化验证与竞品分析、集成电路测试与工艺评价、半导体功率器件质量提升工程、车规级芯片与元器件AEC-Q认证、车规功率模块AQG324认证等多个技术服务平台、满足装备制造、航空航天、汽车、轨道交通、5G通信、光电器件与传感器等领域电子产品质量与可靠性需求。...

新年第一篇!南京大学成果登Nature

优异电学性能、稳定性和变异性使锑成为超越硅过渡金属二卤属化合物电子器件前途接触技术。  硅基集成电路在过去60多年一直沿着摩尔定律预测,朝着更小晶体管尺寸、更高集成度和更高能效方向发展。然而,由于量子效应和界面效应限制,硅基器件微缩化已经接近极限。...

意大利ATOS伺服比例阀怎样安装维修

隔离电源内部元件构造相对比较脆弱,在隔离电源整体结构中,起振电路核心是一枚CMOS半导体,这种半导体虽然和TTLIC半导体相比拥有更宽工作电压和更低能耗,但是也更加容易被损坏。维修变频器隔离电源开关管使用MOS管。...

OPTON微观世界|第35期 从晶体管发明到芯片制造

MoS2与Si一样都属于半导体材料,但是当制程小于5nm时,Si材料中会发生明显隧道效应,进而导致电子从源级流向漏级过程中,栅极电阻不能防止电流强行通过。而MoS2中电子有效质量m会小于Si材料,因此可以有效减小隧道效应影响。图15 1nm制程晶体管结束语芯片对于民生与国防事业重要作用日渐突出,已经成为保证国家安全级别的重要技术。...





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号