通过离子研磨及金相处理后可以清晰看到裂纹沿着金属细化区中晶界面边界延伸（该细化区是由于键合造成的晶粒重构尺寸变化）。进一步使用FIB处理后再用TEM放大分析，同时可见源区个别晶界也产生裂纹并延伸到衬底。【1,2】案例三：温度试验后铝电极黑化分析背景介绍：器件做完温度冲击类（IOL、TC）试验后，内部电极铝PAD严重变黑机理分析：变黑原因主要是铝层发生金属化重建造成表面变粗糙，发生漫反射变黑。...
2.3 标准主要内容图1是以微电子工艺为主要技术实现的MEMS结构示意图。图1中，圆圈所示的位置为键合区域。MEMS中该键合区域的尺寸为微米量级。在微米量级下，精确测量键合强度难度极大。而我国新提出的国际标准提案中，提出了小尺寸区域剪切和拉压键合强度快速准确测量、判断键合工艺质量的方法。标准中提出了拉压法和剪切法。...
)、电力电子器件(二极管、MOSFET、JFET、BJT、IGBT、GTO、ETO、SBD、HEMT等)、微波射频器件(HEMT、MMIC)等；◆ 半导体材料：硅片及硅基材料、硅晶圆、硅晶片、单晶硅、硅片、锗硅材料、S01材料、太阳能电池用硅材料及化合物半导体材料、石英制品、石墨制品、防静电材料、光刻胶及其配套试剂、晶圆胶带、光掩膜版、电子气体、特种化学气体、CMP抛光材料、封装基板、引线框架、键合丝...
)、电力电子器件(二极管、MOSFET、JFET、BJT、IGBT、GTO、ETO、SBD、HEMT等)、微波射频器件(HEMT、MMIC)等；◆ 半导体材料：硅片及硅基材料、硅晶圆、硅晶片、单晶硅、硅片、锗硅材料、S01材料、太阳能电池用硅材料及化合物半导体材料、石英制品、石墨制品、防静电材料、光刻胶及其配套试剂、晶圆胶带、光掩膜版、电子气体、特种化学气体、CMP抛光材料、封装基板、引线框架、键合丝...
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