3金属薄膜在弯曲到 3.5 mm 曲率半径时发生开裂结合图 3 相关数据,可以看出当接近 3.5 mm 弯曲半径时,样品电阻的增加是由金属膜中周期性断裂模式的出现引起的。然而,在样品被压平后,裂纹闭合,这导致样品电阻的部分恢复。这项技术扩展了磁受体电子皮肤的功能,超越了基本的接近感和定向感测。...
理论上预言,不含贵金属和稀土元素的L10相(四方面心结构)的铁磁MnGa同时具有高垂直磁晶各向异性、高磁距、高磁能积、高自旋极化度、超低磁阻尼因子等一系列优异特性,是超高密度磁记录、永磁体和多种自旋电子器件的重要备选材料,过去十余年中受到了高度关注。 最近,赵建华研究组通过分子束外延方法,在半导体GaAs衬底上首次实现了L10相Mn1.5Ga均匀单晶薄膜的外延生长。...
有意思的是,作者发现SROT/SROI异质结构的拓扑霍尔效应电阻和磁泡密度之间表现出线性关系。该观察到的拓扑霍尔效应电阻与MFM结果之间的强相关性进一步加深磁泡的拓扑性质。而在50uc厚度的SRO薄膜中磁泡畴尺寸在微米级别。...
但是在其他强关联电子体系中,电子液晶相鲜有报道,并且这种新的电子相的微观起源还不清楚。 中科院宁波材料技术与工程研究所磁性材料器件重点实验室王保敏研究员系统研究了庞磁电阻锰氧化物薄膜在不同应力状态下电输运行为及其微观机制。...
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