HB 5831-1983
航空用半导体二、三极管技术要求
Technical requirements for aviation semiconductor diodes and triodes
- 标准号
- HB 5831-1983
- 发布
- 1983年
- 发布单位
- 行业标准-航空
- 当前最新
- HB 5831-1983
HB 5831-1983相似标准
推荐
电子元器件综合知识大全
图三 硅和锗管的伏安特性曲线4.12 半导体二极管的好坏判别:用万用表(指针表)R﹡100或R﹡1K档测量二极管的正,反向电阻要求在1K左右,反向电阻应在100K以上.总之,正向电阻越小,越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大,说明二极管内部断路,若反向电阻为零,表明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用。 ...
二十世纪最重要的发明—晶体三极管
问题5：割裂二极管与三极管在原理上的自然联系，无法实现内容上的自然过渡。甚至使人产生很矛盾的感觉，二极管原理强调PN结的正向导电反向截止，而三极管原理则又要求PN结能够反向导通，这让人很难接受。同时，也不能体现晶体三极管与电子三极管之间在电流放大原理上的历史联系。二、新讲解方法：1、切入点：要想很自然地说明问题，就要选择恰当的切入点。讲三极管的原理我们从二极管的原理入手讲起。...
二极管和三极管的命名原则
一、 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2－二极管、3－三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A－N型锗材料、B－P型锗材料、C－N型硅材料、D－P型硅材料。...