SJ/T 10805-1996
半导体集成接口电路电压比较器测试方法的基本原理

Semiconductor integrated circuits used as interface circuits--General principles of measuring methods of voltage comparators

SJT10805-1996, SJ10805-1996

2001-03

标准号
SJ/T 10805-1996
别名
SJT10805-1996, SJ10805-1996
发布单位
行业标准-电子
替代标准
SJ/T 10805-2000
当前最新
SJ/T 10805-2018
 
 

SJ/T 10805-1996相似标准


推荐

智能温度传感发展趋势

通常是将人体等效于由100PF电容和1.2K欧姆电阻串联而成电路模型,当人体放电时,TCN75型智能温度传感串行接口端、中断/比较信号输出端和地址输入端均可承受1000V静电放电电压。LM83型智能温度传感则可承受4000V静电放电电压。...

电动汽车BMS主要芯片及厂商分析

BQ79614-Q1芯片内部集成了前端滤波和后置ADC低通滤波。前端滤波是为了降低成本,能够在电池输入电路上使用简单、低压差分RC滤波。ADC低通滤波是为了对滤波后直流电压进行监测,方便计算出电池电荷状态。在该芯片可用于外部热敏电阻测量BQ79614-Q1在通信方面可与BQ7600器件相连或直接通过UART接口与MCU完成通信。...

数字电路之数字集成电路IC(一)

 本期将讲解数字IC基础和组合电路。  什么是数字集成电路IC?  数字集成电路是指集成了一个或多个门电路半导体元器件。数字集成电路拥有多个种类,根据用途不同,可分为如下几类。  ...

半导体元器件失效分析

闩锁状态下器件在电源与地之间形成短路,造成大电流、过电应力和器件损坏通信接口集成电路闩锁失效(5)热载流子效应(Hot Carrier Injection栅极电压Vg小于漏极电压Vd时,栅极绝缘膜下沟道被夹断,漏极附近电场增高;源极流经此区电子成为热电子,碰撞增多---漏极雪崩热载流子;注入栅极二氧化硅膜中,使其产生陷阱和界面能级,阈值电压增加,氧化层电荷增加或波动不稳,器件性能退化(6)与时间相关介质击穿...





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号