JEDEC JP002-2006
锡流理论和缓解实践指南
Current Tin Whiskers Theory and Mitigation Practices Guideline
- 标准号
- JEDEC JP002-2006
- 发布
- 2006年
- 发布单位
- (美国)固态技术协会,隶属EIA
- 当前最新
- JEDEC JP002-2006
- 适用范围
- 多年来，锡晶须一直是工业界关注和有趣的问题。众所周知，它们会导致细间距预镀锡电气元件短路 [1]。锡晶须通过在其底部而不是尖端添加材料来生长（即，它们从基材中生长出来）[2]。它们可以从成形的电沉积物、气相沉积材料 [3] 和故意变形的 Sn 涂层 [4] 中生长。在 Cd、In 和 Zn 中也观察到类似的晶须 [5]。晶须似乎是对残余应力存在的局部反应。残余压缩应力或外部应力通常被认为是晶须生长的先决条件[4]。退火或熔化（焊料术语中的回流）可以在不确定的时间内减缓生长。 1959 年，人们发现在锡电镀中添加几个百分点的铅可以大大降低形成晶须的趋势 [6]，人们对这一主题的兴趣逐渐减弱。限制在欧盟销售的电子产品中使用铅的立法将于 2006 年 7 月 1 日生效，许多电子元件供应商建议从锡铅镀层中去除铅，只留下纯锡。对于大多数零部件制造商来说，这种方法是最方便且成本最低的消除铅策略。然而，对于高可靠性用户群体来说，由于纯锡和锡合金镀层容易形成晶须，因此纯锡策略存在可靠性风险。