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陆国权等研究表明,随着钼块厚度的增加,应力 缓 冲 效 果 明 显 ,应 变 减 小 。双 面 互 连 的 SiCMOSFET芯片最大von Mises应力和纳米银互连层的最大塑性应变均减小。同时,在缓冲层和上基板间烧结银互连层中增加 1 mm 银垫片可进一步降低双面互连结构的芯片应力和互连层应变,提高双面散热SiC模块的热机械可靠性。...
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