硅片电阻率和掺杂类型对MSDC-TENG的影响a) 采用不同电阻率和类型硅片的MSDC-TENG的短路电流和开路电压的变化趋势及其相应的误差线;b) 采用不同电阻率和类型硅片的MSDC-TENG的内部电阻;c) MSDC-TENG(Wm < Ws)的工作状态图;d) 处于平衡态MS结的能带图;e) 处于滑动状态MS结的能带图。...
/T 31070.3-2021楼寓对讲系统 第3部分:特定应用技术要求2021/5/21GB/T 31838.5-2021固体绝缘材料 介电和电阻特性 第5部分:电阻特性(DC方法) 浸渍和涂层材料的体积电阻和体积电阻率2021/5/21GB/T 31838.6-2021固体绝缘材料 介电和电阻特性 第6部分:介电特性(AC方法) 相对介电常数和介质损耗因数(频率0.1Hz~10MHz)2021/5...
介电和电阻特性 第5部分:电阻特性(DC方法) 浸渍和涂层材料的体积电阻和体积电阻率2021-12-01140GB/T 31838.6-2021固体绝缘材料 介电和电阻特性 第6部分:介电特性(AC方法) 相对介电常数和介质损耗因数(频率0.1Hz~10MHz)2021-12-01141GB/T 31838.7-2021固体绝缘材料 介电和电阻特性 第7部分:电阻特性(DC方法) 高温下测量体积电阻和体积电阻率...
应力迁移(Stress Migration)引子:铜互连替代铝互连,虽然铜的电阻率较低,抗电迁移和应力迁移能力强,但应力迁移诱生空洞,导致电阻增大甚至完全断裂出现条件:应力梯度—绝缘介质与铜之间的热失配所致位置:通孔和金属连线边缘等应力集中区域影响因素:应力、应力梯度、互连结构、工作温度、金属介质界面粘附性、互连材料的微观结构铜导线上的应力迁移空洞(2)电致失效电迁移(Electronic Migration...
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