ISO 17560:2002
表面化学分析.再生离子质量的光谱测定.硅中硼的深仿形方法
Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Method for depth profiling of boron in silicon
- 标准号
- ISO 17560:2002
- 发布
- 2002年
- 发布单位
- 国际标准化组织
- 替代标准
- ISO 17560:2014
- 当前最新
- ISO 17560:2014
- 适用范围
- 本国际标准规定了二次离子质谱方法，使用扇形磁质谱仪或四极杆质谱仪对硅中的硼进行深度分析，并使用触针轮廓测量法或光学干涉测量法进行深度标度校准。 该方法适用于硼原子浓度在1×10原子/cm和1×10原子/cm之间的单晶、多晶或非晶硅样品，以及坑深度为50 nm或更深的样品。