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S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。...
基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。...
npn型双极晶体管截面图4.半导体太阳电池——太阳电池用硅材料 太阳电池用硅材料主要包括：直拉硅单晶、非晶硅、带状硅和薄膜多晶硅，这些材料在实验室和产业中制成的太阳电池的效率如图22。 目前铸造多晶硅占太阳能电池材料的47.54％，是最主要的太阳电池材料。到2004年，铸造多晶硅的市场份额已经超过53％。...
npn型双极晶体管截面图4、半导体太阳电池——太阳电池用硅材料 太阳电池用硅材料主要包括：直拉硅单晶、非晶硅、带状硅和薄膜多晶硅，这些材料在实验室和产业中制成的太阳电池的效率如图22。 目前铸造多晶硅占太阳能电池材料的47.54％，是最主要的太阳电池材料。到2004年，铸造多晶硅的市场份额已经超过53％。...
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