DLA MIL-PRF-19500/735-2006
双二极管1N7041CCU1型和单二极管型1N7045T3,JAN,JANTX,JANTXV和JANS中心抽头肖特基硅二极管半导体装置

SEMICONDUCTOR DEVICE, DIODE, SILICON, SCHOTTKY, DUAL, CENTER TAP, TYPE 1N7041CCU1 AND SINGLE DIODE TYPE 1N7045T3, JAN, JANTX, JANTXV, AND JANS


 

 

非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 DLA MIL-PRF-19500/735-2006 前三页,或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准,
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购(由第三方提供)。

 

标准号
DLA MIL-PRF-19500/735-2006
发布
2006年
发布单位
美国国防后勤局
 
 

DLA MIL-PRF-19500/735-2006相似标准


推荐

二极管三极管的命名原则

第五部分:用字母表示同一型号的改进产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。美国半导体分立器件型号命名方法三、美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:第一部分:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品。第二部分:用数字表示pn结数目。...

浅析肖特基二极管如何区别选择及代换

肖特基二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳极阴极两个端子。肖特基二极管可用半导体锗或等材料制造。肖特基二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率肖特基二极管都用高纯单晶制造(掺杂较多时容易反向击穿)。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。...

分析肖特基二极管的优势与结构应用

二、肖特基二极管结构  肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别,它的内部是由阳极金属(金、银、铝、钼、铂等材料制造成阻挡层)、二氧化硅消除边缘区域的电场(提高管子耐压)、N一外延层、N基片、N+阴极层及阴极金属等构成。如图所示,在N基片阳极金属之间形成肖特基势垒。...

肖特基二极管快恢复二极管有什么区别详解

半导体材料采用或砷化镓,多为半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。  ...





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号