DLA SMD-5962-85126 REV C-2005
硅单块 缓冲器低频率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路

MICROCIRCUIT, DIGITAL, BIPOLAR, LOW-POWER SCHOTTKY TTL, BUFFERS, MONOLITHIC SILICON


 

 

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试： 免费下载 DLA SMD-5962-85126 REV C-2005 前三页，或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准，
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购（由第三方提供）。

 

标准号
DLA SMD-5962-85126 REV C-2005
发布
2005年
发布单位
美国国防后勤局
 
 
适用范围
该图描述了符合 MIL-STD-883 的非 JAN B 级微电路（根据 MIL-PRF-38535 附录 A）的设备要求。

DLA SMD-5962-85126 REV C-2005相似标准

DLA SMD-5962-86866 REV C-2006 硅单块 译码器高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路 DLA SMD-5962-86836 REV C-2001 硅单块 或门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路 DLA SMD-5962-86872 REV B-2006 硅单块 非与缓冲器,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路 DLA SMD-5962-85096 REV E-2005 硅单块 多路复用器高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路 DLA SMD-5962-85097 REV F-2005 硅单块 多路复用器高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路

推荐

一文了解半导体的过去、现在和未来

它们的工作频率在微波波段，从几个GHz到100GHz。各种无线通信及其工作频率。波段从微米到毫米波段，频率为20-80 GHz。无线通讯中最关键的器件是半导体高频振荡器件，目前有2种：高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）。它们实际上就是典型的三极管，但由于利用分子束外延技术，n-p-n每一层都可以做得很薄，缩小了电子运动的路径，具有高的截止频率fT。...

一文读懂半导体的历史、应用、未来

它们的工作频率在微波波段，从几个GHz到100GHz。各种无线通信及其工作频率。波段从微米到毫米波段，频率为20-80 GHz。    无线通讯中最关键的器件是半导体高频振荡器件，目前有2种：高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）。它们实际上就是典型的三极管，但由于利用分子束外延技术，n-p-n每一层都可以做得很薄，缩小了电子运动的路径，具有高的截止频率fT。...

全球碳基电子技术发展态势分析

目前，肖特基二极管、PIN二极管、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管等碳化硅电子电子器件耐压高达10kV以上，单管器件最高电压超过27kV 。2019年，Cree公司宣布投资10亿美元打造碳化硅超级制造工厂，将碳化硅晶圆制造能力提高30倍，以满足2024年的预期市场增长。...

摩尔定律的多重生命

这听上去也许与摩尔定律1.0时代非常相像，但届时我们要做的并非把不同的逻辑电路整合在一块更大面积的芯片上，而是将长久以来都与硅晶芯片相互分离的非逻辑功能并入芯片之中。这方面的一个早期范例便是现代手机的摄像头，这种摄像头通过直通硅晶穿孔技术将图像传感器直接合并在数字信号处理器中。除此之外，后续还会有其他的范例不断涌现。...


Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证：京ICP证110310号